IRFR220NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR220NTRLPBF par Infineon et IRFR4620TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR220NTRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $1,72
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Boîtier TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1 (Unlimited)
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Technology — IR MOSFET
Boîtier / Format — TO-252AA (DPAK)
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead Free — Yes

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