IRFR2405TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR2405TRPBF von Infineon und IRLTS2242TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR2405TRPBF IRLTS2242TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,14
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TSOP-6 (Micro 6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
MSL-Level 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
Halogenfrei [DATA_NEEDED: halogen-free status] Yes
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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