IRFR2405TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR2405TRPBF par Infineon et IRLTS2242TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR2405TRPBF | IRLTS2242TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,14 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 16 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TSOP-6 (Micro 6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab | — |
| Niveau MSL | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free PBF suffix) | Compliant |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | Yes |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -6.9 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.0 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 32 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Gate Drive Voltage (logic level) | — | 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Package Thermal Resistance (RthJA) | — | [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] |
| Lead-Free | — | Yes |