IRFR2405TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR2405TRPBF от Infineon и IRLTS2242TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF - 20V P-Ch HEXFET MOSFET, TSOP-6 | Infineon

IRLTS2242TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR2405TRPBF IRLTS2242TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,14
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) TSOP-6 (Micro 6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Уровень MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
Без галогенов [DATA_NEEDED: halogen-free status] Yes
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (junction)
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену