IRFR3607TRPBF vs IRFR3504ZTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3607TRPBF von Infineon und IRFR3504ZTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3607TRPBF IRFR3504ZTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,28
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.8 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) typ — 30 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 90 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes (improved repetitive avalanche rating)

Datenblätter & Ressourcen

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