IRFR3607TRPBF vs IRFR3504ZTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR3607TRPBF por Infineon y IRFR3504ZTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR3607TRPBF IRFR3504ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,39 $0,28
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.8 V (logic-level)
Total Gate Charge (Qg) typ — 30 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 90 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +175°C
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Avalanche Rated — Yes (improved repetitive avalanche rating)

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