IRFR4105TRPBF vs IRFR3411TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR4105TRPBF von Infineon und IRFR3411TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR4105TRPBF IRFR3411TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,55
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D at Tc) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) 45 milliohm —
Gate-Source Voltage (V_GS max) 20 V —
Total Gate Charge (Q_G) 22.7 nC —
Power Dissipation (P_D at Tc) 68 W —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
RoHS-Status Compliant (lead-free, PBF suffix) —
Packaging Type Tape and Reel (TRPBF) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy (E_AS) [DATA_NEEDED: E_AS rating] —
Polarity — N-Channel
FET Type — MOSFET (Metal Oxide)
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
Anzahl der Pins — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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