IRFR4105TRPBF vs IRFR3411TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR4105TRPBF por Infineon e IRFR3411TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR4105TRPBF IRFR3411TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D at Tc) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) 45 milliohm —
Gate-Source Voltage (V_GS max) 20 V —
Total Gate Charge (Q_G) 22.7 nC —
Power Dissipation (P_D at Tc) 68 W —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Status RoHS Compliant (lead-free, PBF suffix) —
Packaging Type Tape and Reel (TRPBF) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy (E_AS) [DATA_NEEDED: E_AS rating] —
Polarity — N-Channel
FET Type — MOSFET (Metal Oxide)
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
Número de pinos — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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