IRFR4105TRPBF vs IRFR3411TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR4105TRPBF por Infineon y IRFR3411TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR4105TRPBF IRFR3411TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,58 $0,55
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (5th generation IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-Source Voltage (V_DS max) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D at Tc) 27 A —
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) 45 milliohm —
Gate-Source Voltage (V_GS max) 20 V —
Total Gate Charge (Q_G) 22.7 nC —
Power Dissipation (P_D at Tc) 68 W —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Estado RoHS Compliant (lead-free, PBF suffix) —
Packaging Type Tape and Reel (TRPBF) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Avalanche Energy (E_AS) [DATA_NEEDED: E_AS rating] —
Polarity — N-Channel
FET Type — MOSFET (Metal Oxide)
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
Número de pines — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

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