IRFR540ZTRPBF vs IRFR3710ZTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR540ZTRPBF von Infineon und IRFR3710ZTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR540ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,42
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 35 A (at Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) Max 28.5 mOhm at Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (Pd) 91 W (at Tc) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (junction) —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL-Level 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Lead-Free — Yes

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