IRFR540ZTRPBF vs IRFR3710ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR540ZTRPBF por Infineon e IRFR3710ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR540ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,42
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 35 A (at Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) Max 28.5 mOhm at Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (Pd) 91 W (at Tc) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Nível MSL 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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