IRFR5505TRLPBF vs IRFR024NTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR5505TRLPBF von Infineon und IRFR024NTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR5505TRLPBF IRFR024NTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,31
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) 17 A (at TC = 25 C)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 60 A
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)

Datenblätter & Ressourcen

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