IRFR5505TRLPBF vs IRFR024NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5505TRLPBF par Infineon et IRFR024NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5505TRLPBF IRFR024NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,31
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) 17 A (at TC = 25 C)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 60 A
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)

Fiches techniques et ressources

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