IRFR9120NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR9120NTRLPBF von Infineon und IRFR4620TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR9120NTRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $1,72
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) 24 A at Tc
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) 25 nC typical
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) 144 W at Tc
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) IR MOSFET
MSL-Level 1 1 (Unlimited)
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Gehäuse / Bauform — TO-252AA (DPAK)
Betriebstemperatur — -55C to +175C
Lead Free — Yes

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