IRFR9120NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR9120NTRLPBF par Infineon et IRFR4620TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR9120NTRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $1,72
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) 24 A at Tc
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) 25 nC typical
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) 144 W at Tc
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Boîtier TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) IR MOSFET
Niveau MSL 1 1 (Unlimited)
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Boîtier / Format — TO-252AA (DPAK)
Température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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