IRFR9120NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR9120NTRLPBF por Infineon y IRFR4620TRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR9120NTRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $1,72
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) 24 A at Tc
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) 25 nC typical
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) 144 W at Tc
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) IR MOSFET
Nivel MSL 1 1 (Unlimited)
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Encapsulado / Carcasa — TO-252AA (DPAK)
Temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Lead Free — Yes

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