IRFR9120NTRLPBF vs IRFR9120NTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR9120NTRLPBF von Infineon und IRFR9120NTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,32
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (Tj) —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) HEXFET fifth-generation IR MOSFET
MSL-Level 1 1 (unlimited floor life)
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -6.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — 18 nC (typical)
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern