IRFR9120NTRLPBF vs IRFR9120NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR9120NTRLPBF por Infineon e IRFR9120NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,61 $0,32
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) HEXFET fifth-generation IR MOSFET
Nível MSL 1 1 (unlimited floor life)
Status RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -6.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — 18 nC (typical)
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

Fichas técnicas e recursos

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