IRFR9120NTRLPBF vs IRFR9120NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR9120NTRLPBF par Infineon et IRFR9120NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,32
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) HEXFET fifth-generation IR MOSFET
Niveau MSL 1 1 (unlimited floor life)
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -6.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — 18 nC (typical)
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

Fiches techniques et ressources

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