IRFS3006TRL7PP vs BSC076N04NDATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFS3006TRL7PP von Infineon und BSC076N04NDATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFS3006TRL7PP BSC076N04NDATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,75 $0,82
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) 7.6 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Gehäuse D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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