IRFS3006TRL7PP vs BSC076N04NDATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFS3006TRL7PP от Infineon и BSC076N04NDATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP - 60V 240A N-Ch HEXFET MOSFET | D2PAK-7 | Infineon

IRFS3006TRL7PP ✓ Активен
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFS3006TRL7PP BSC076N04NDATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,75 $0,82
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] —
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) 7.6 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Корпус D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
Уровень MSL 1 (unlimited) —
Статус RoHS Compliant —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Корпус / Типоразмер — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену