IRFZ24NPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFZ24NPBF von Infineon und IRFZ48NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFZ24NPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $1,18
FET Type N-Channel N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) ± 20 V —
RDS(on) at VGS=10V 70 mOhm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 54 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C -55C to +175C
Gehäuse TO-220AB (through hole) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Montageart Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET planar cell —
Switching Frequency Range Optimized for < 100 kHz —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Qualification JEDEC standard —
Channel Mode Enhancement —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

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