IRL3705NPBF vs IRF3205STRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRL3705NPBF von Infineon und IRF3205STRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRL3705NPBF IRF3205STRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $1,02
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
Gepulster Drain-Strom [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) HEXFET (advanced process)
Gehäuse TO-220AB (3-pin through-hole) TO-263-3 (D2PAK)
Montageart Through Hole Surface Mount
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
RoHS-Status Compliant (per PBF suffix) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 110 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 390 A
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 8 mΩ max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 97.3 nC typical
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 200 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (Tj)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (STRL)

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