IRLH5030TRPBF vs IRFH8201TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLH5030TRPBF von Infineon und IRFH8201TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLH5030TRPBF IRFH8201TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLH5030TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC 56 nC at VGS=10V
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
Gehäuse PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status — Compliant

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