IRLH5030TRPBF vs IRFH8201TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLH5030TRPBF por Infineon y IRFH8201TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLH5030TRPBF IRFH8201TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,15 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLH5030TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC 56 nC at VGS=10V
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
Encapsulado PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS — Compliant

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