IRLH5030TRPBF vs IRFH8201TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLH5030TRPBF par Infineon et IRFH8201TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLH5030TRPBF IRFH8201TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $1,05
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLH5030TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 13 A 49 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 44 nC 56 nC at VGS=10V
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Power Dissipation at TA=25C 3.6 W —
Power Dissipation at TC=25C 156 W —
Thermal Resistance to PCB (RthJC) 0.8 C/W —
Boîtier PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad
Profile Height ≤ 0.9 mm —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC standard —
Rg Tested 100% —
RoHS Compliance Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) —
Industry-Standard Pinout Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 324 A
RDS(on) max at VGS=10V — 0.95 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V max
Output Capacitance (Coss) — 7.33 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 850 pF
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 156 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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