IRLML5103TRPBF vs IRLML0030TRPBF Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IRLML5103TRPBF von Infineon und IRLML0030TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IRLML5103TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,05 | $0,13 |
| Transistortyp | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| Gehäuse | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Betriebstemperatur | 175 C | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55C to +150C |
| MSL-Level | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |