IRLML5103TRPBF vs IRLML0030TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLML5103TRPBF 제조: Infineon 및 IRLML0030TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRLML5103TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.05 | $0.13 |
| 트랜지스터 유형 | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| 패키지 | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| 동작 온도 | 175 C | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +150C |
| MSL 레벨 | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |