IRLML6246TRPBF vs IRLML6346TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLML6246TRPBF von Infineon und IRLML6346TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLML6246TRPBF IRLML6346TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,11 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET Power MOSFET
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Gehäuse SOT-23 (Micro3) Micro3 / SOT-23
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Halogenfrei Yes —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
RoHS-Status — Compliant

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