IRLML6246TRPBF vs IRLML6346TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLML6246TRPBF 제조: Infineon 및 IRLML6346TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRLML6246TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.11 | $0.18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLML6246TRPBF | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | HEXFET Power MOSFET |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 4.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 46 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.1 V (logic-level) | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 1.3 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction) | — |
| 패키지 | SOT-23 (Micro3) | Micro3 / SOT-23 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free) | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| MSL 레벨 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +150C |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |