IRLML6246TRPBF vs IRLML6346TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6246TRPBF par Infineon et IRLML6346TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML6246TRPBF IRLML6346TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET Power MOSFET
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Boîtier SOT-23 (Micro3) Micro3 / SOT-23
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Sans halogène Yes —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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