IRLR2905TRPBF vs IRFR5305TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR2905TRPBF von Infineon und IRFR5305TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR2905TRPBF IRFR5305TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,32
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
RoHS-Status — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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