IRLR2905TRPBF vs IRFR5305TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLR2905TRPBF от Infineon и IRFR5305TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLR2905TRPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,61 | $0,32 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Рабочая температура перехода | -55C to +175C | — |
| Корпус | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +175 C |
| Статус RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |