IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR2905TRPBF von Infineon und IRLR2705TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR2905TRPBF IRLR2705TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,61 $0,36
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] Logic-Level (compatible with 4V drive)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W 68 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C -55C to +175C
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (Pb-free, RoHS compliant)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]

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