IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRLR2905TRPBF 제조: Infineon 및 IRLR2705TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRLR2905TRPBF IRLR2705TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.61 $0.36
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] Logic-Level (compatible with 4V drive)
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W 68 W
동작 접합 온도 -55C to +175C -55C to +175C
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes Yes
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (Pb-free, RoHS compliant)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Total Gate Charge (Qg) — 16.7 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]

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