IRLR2905TRPBF vs IRLR2705TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLR2905TRPBF por Infineon e IRLR2705TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLR2905TRPBF | IRLR2705TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,61 | $0,36 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | HEXFET (IR MOSFET generation 5) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | Logic-Level (compatible with 4V drive) |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | 68 W |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | Yes (Pb-free, RoHS compliant) |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| RDS(on) Max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] |