IRLR3114ZTRPBF vs IRLR3636TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR3114ZTRPBF von Infineon und IRLR3636TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR3114ZTRPBF IRLR3636TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,46 $0,74
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A [DATA_NEEDED: IDM rating]
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 3 (2 + tab) —
RoHS-Status Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

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