IRLR3114ZTRPBF vs IRLR3636TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3114ZTRPBF por Infineon e IRLR3636TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3114ZTRPBF IRLR3636TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,46 $0,74
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A [DATA_NEEDED: IDM rating]
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 (2 + tab) —
Status RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

Fichas técnicas e recursos

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