IRLR9343TRPBF vs IRF7416TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLR9343TRPBF von Infineon und IRF7416TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLR9343TRPBF IRF7416TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,47 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR9343TRPBF —
FET Type P-Channel MOSFET P-Channel
Technology IR HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] -50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 105 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] -1 V to -3 V
Total Gate Charge (Qg) 31 nC (typical) 61 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 79 W —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level 1 1 (unlimited)
Optimized Application Class-D audio amplifier output stages —
Polarity P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich — -55 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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