IRLR9343TRPBF vs IRF7416TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR9343TRPBF par Infineon et IRF7416TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR9343TRPBF | IRF7416TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,47 | $0,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLR9343TRPBF | — |
| FET Type | P-Channel MOSFET | P-Channel |
| Technology | IR HEXFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] | -50 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 105 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | -1 V to -3 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 31 nC (typical) | 61 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 79 W | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount | 8-SO (SOIC-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Optimized Application | Class-D audio amplifier output stages | — |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -10 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 20 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 50 C/W |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |