IRLTS2242TRPBF vs IRFR2405TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLTS2242TRPBF von Infineon und IRFR2405TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLTS2242TRPBF IRFR2405TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,14 $0,61
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -6.9 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.0 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 32 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (logic level) 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable —
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET (IR MOSFET)
Gehäuse TSOP-6 (Micro 6) TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Package Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] —
MSL-Level MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Datenblätter & Ressourcen

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