IRLTS2242TRPBF vs IRFR2405TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLTS2242TRPBF par Infineon et IRFR2405TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLTS2242TRPBF | IRFR2405TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,14 | $0,61 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -20 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -6.9 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.0 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 32 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Drive Voltage (logic level) | 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Boîtier | TSOP-6 (Micro 6) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Package Thermal Resistance (RthJA) | [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] | — |
| Niveau MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 16 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |