IRS2004STRPBF vs IR2104SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2004STRPBF von Infineon und IR2104SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2004STRPBF IR2104SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,66 $0,41
Topologie Half-Bridge Gate Driver —
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) Yes (VCC UVLO)
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
Gehäuse SOIC-8 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C -40 C to +125 C
RoHS-Status Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
MSL-Level MSL2 —
Funktion — Half-bridge gate driver
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Anstiegszeit — 160 ns typical
Abfallzeit — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

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