IRS2004STRPBF vs IR2104SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2004STRPBF от Infineon и IR2104SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRS2004STRPBF IRS2004STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver SOIC-8 | Infineon

IRS2004STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver SOIC-8 | Infineon

IRS2004STRPBF ✓ Активен
Infineon
IR2104SPBF IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRS2004STRPBF IR2104SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,66 $0,41
Топология Half-Bridge Gate Driver —
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) Yes (VCC UVLO)
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
Корпус SOIC-8 8-pin SOIC
Тип монтажа Surface Mount —
Диапазон рабочих температур -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Статус RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Уровень MSL MSL2 —
Функция — Half-bridge gate driver
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Время нарастания — 160 ns typical
Время спада — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену