IRS2004STRPBF vs IR2104SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2004STRPBF por Infineon y IR2104SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2004STRPBF IR2104SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,41
Topología Half-Bridge Gate Driver —
Driver Channels 1 high-side + 1 low-side (dependent) —
Offset Voltage (Voffset max) 200 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 3.3 V to 20 V (logic compatible) —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Shutdown Input Yes (active) —
Undervoltage Lockout Yes (both channels) Yes (VCC UVLO)
Bootstrap Operation Yes (external diode required) —
Encapsulado SOIC-8 8-pin SOIC
Tipo de montaje Surface Mount —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
Nivel MSL MSL2 —
Función — Half-bridge gate driver
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Configuration — High and Low Side
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
Tiempo de subida — 160 ns typical
Tiempo de bajada — 60 ns typical
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes

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