IRS2101STRPBF vs IRS2011STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2101STRPBF von Infineon und IRS2011STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2101STRPBF IRS2011STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $1,55
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 —
Anzahl der Ausgänge 2-OUT 2
Ausgangskonfiguration Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V CMOS / LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40 C to +125 C
Gehäuse 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
RoHS-Status Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Funktion — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — High-Side and Low-Side, Independent Channels
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance — Yes, dV/dt immune
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Datenblätter & Ressourcen

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