IRS2104STRPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2104STRPBF von Infineon und 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2104STRPBF 2ED2106S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,45 $0,78
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topologie Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.6 A 0.7 A
Propagation Delay (typ.) 150 ns 100 ns
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40C to +150C —
Gehäuse 8-Lead SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
RoHS-Status Compliant (PbF suffix) —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Anzahl der Ausgänge — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Number of Drivers — 2
Anzahl der Pins — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Ausgangstyp — Half-Bridge, Non-Inverting

Datenblätter & Ressourcen

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