IRS2104STRPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2104STRPBF par Infineon et 2ED2106S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2104STRPBF 2ED2106S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,78
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topologie Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.6 A 0.7 A
Propagation Delay (typ.) 150 ns 100 ns
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
Température de jonction en fonctionnement -40C to +150C —
Boîtier 8-Lead SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
Statut RoHS Compliant (PbF suffix) —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Nombre de sorties — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Number of Drivers — 2
Nombre de broches — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Type de sortie — Half-Bridge, Non-Inverting

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