IRS21091STRPBF vs IR2109SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS21091STRPBF von Infineon und IR2109SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS21091STRPBF IR2109SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $1,05
Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V —
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) SOIC-8
Packaging Tape & Reel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Anstiegszeit — 200 ns
Abfallzeit — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C
Montageart — Surface Mount

Datenblätter & Ressourcen

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