IRS21091STRPBF vs IR2109SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS21091STRPBF por Infineon e IR2109SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS21091STRPBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $1,05
Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 2 (high-side + low-side)
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V —
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
Encapsulamento 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) SOIC-8
Packaging Tape & Reel —
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tempo de subida — 200 ns
Tempo de descida — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C
Tipo de montagem — Surface Mount

Fichas técnicas e recursos

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